Obiettivo del progetto di ricerca sarà la caratterizzazione ottica e strutturale dei packages dei HEMT GaN per l’identificazione dei failure mode dopo i test di affidabilità. In particolare saranno effettuate misure di fotoluminescenza (PL)a temperatura ambiente e in funzione del tempo per verificare la presenza di eventuali difetti. In particolare saranno utilizzate diverse lunghezze d’onda di eccitazione dall’ UV all’infrarosso ottenendo spettri di emissione del materiale/difetto in essere che permetteranno l’identificazione della natura del difetto. Inoltre, tramite misure Raman sarà caratterizzata la composizione e la struttura del materiale< e del difetto in essere che consentiranno di identificare il failure mode della difettosità.
Descrizione sintetica in italiano:
Il progetto di ricerca prevede la caratterizzazione dei packages contenenti gli HEMT GaN dopo
i test di affidabilità. I meccanismi di guasto durante il funzionamento del dispositivo verranno
studiati usando diverse tecniche di analisi: 1) analisi morfologica e mappe di distribuzione
degli elementi rilevabili nel campione mediante Microscopia Elettronica a Scansione dotata di
una sonda EDX. Le analisi SEM-EDX consentiranno la diagnostica di sostanze chimiche specie
come l'ossigeno responsabile della dissoluzione della superficie del GaN per danni da
imballaggio; 2) mappature micro-Raman e IR consentiranno l'analisi del cambiamento
strutturale dei packages indotto dal riscaldamento termico mentre la spettroscopia
fotoelettronica a raggi X (XPS) permetterà lo studio dello stato di legame chimico superficiale
dei campioni e gli effetti chimici indotti dai test di affidabilità.
Descrizione sintetica in inglese:
The research project foresees the characterization of the packages containing the GaN HEMTs
after the reliability tests. The failure mechanisms during the operation of the device will be
studied using different analysis techniques: 1) morphological analysis and distribution maps
of the elements detectable in the sample by means of Scanning Electron Microscopy equipped
with an EDX probe. SEM-EDX analyzes will allow the diagnostics of chemical species such as
oxygen responsible for the dissolution of the GaN surface due to packaging damage; 2) micro -
Raman and IR mappings will allow the analysis of the structural change of the packages
induced by thermal heating while X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) will allow the study
of the surface chemical bond state of the samples and the chemical effects induced by the tests
of reliability.
Avviso di selezione per titoli e colloquio, per il conferimento di n. 1 borsa di studio post laurea esente per attività di ricerca della durata di 6 (sei) mesi, eventualmente rinnovabili, per un importo lordo di € 9.000,00 (novemila/00), destinata a laureati con LAUREA MAGISTRALE in Ingegneria Gestionale o Economia o titolo equipollente (V.O), per lo svolgimento della seguente attività: “Analisi dei fattori di rischio emergenti legati all’uso di nuovi carburanti nell’industria Seveso e impatto economico”.