Progetto WInSiC4AP

Wide band gap Innovative SiC for Advanced Power, (WInSiC4AP)
Responsabile scientifico S. Patanè
 
 

Le moderne tecnologie volte al risparmio energetico hanno chiarito i limiti fisici dei dispositivi basati sul silicio evidenziando la necessità di sviluppare nuovi materiali più performanti e più affidabili. In questo quadro, materiali semiconduttori come il Nitruro di gallio ed il Carburo di Silicio (SiC) rappresentano senza dubbio la chiave di volta delle future tecnologie (mattoni tecnologici) che riguardano l’automotive, l’avionica, le ferrovie, la difesa.
WInSiC4AP è un progetto ECSEL che si inquadra nelle attività di Horizon 2020 e che ha l’ambizioso obiettivo di proporre nuove tecnologie e nuove topologie basate su dispositivi al Carburo di Silicio che si distinguono per affidabilità ed efficienza accrescendo la competitività delle industrie Europee del settore che oggi rischiano di trovarsi a giocare un ruolo terzo rispetto a grandi paesi come gli Stati Uniti o il Giappone e la Cina.
L’attività svolta all’Università di Messina coinvolge personale del dipartimento MIFT e del dipartimento di Ingegneria e si attesta su due filoni principali. Il primo riguarda la caratterizzazione dei materiali con tecniche di spettroscopia e microcopia a scansione a sonda e lo studio dei meccanismi di fallimento e dell’affidabilità dei dispositivi elettronici basati sul SiC con tecniche di microscopia termica veloce e tecniche di vibrometria.
Il secondo riguarda il design di convertitori elettronici ad alta efficienza ed alta affidabilità basati su topologie innovative con ambiti di applicazione nel campo dell’automotive e dell’avionica.
Il progetto ha una durata di 48 mesi ed è iniziato nel giugno del 2017 e  coinvolge aziende ed enti di ricerca italiani ed europei.      
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